Číslo produktu výrobce:
TSM210N06CZ C0G
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM210N06CZ C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12894250
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM210N06CZ C0G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
210A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFP220N06T3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
20
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP220N06T3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.54
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM060N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
TSM4N70CP ROG
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
DMN67D7L-13
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3